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(トータル 7 製品Mos)

  • 650V 7A Nチャネルエンハンスメントモード電界効果

    650V 7A Nチャネルエンハンスメントモード電界効果

    • ブランド: AGERTECH

    • 包装: T / R

    • 供給能力: MEDIUM

    • 最小注文数: 10 Roll

    ATM7N65TEは、オン状態抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、アバランシェモードおよび転流モードでの高エネルギーパルスに耐えるように設計された、高電圧Nチャネルエンハンスメントモードパワー電界効果トランジスタです。このパワーMOSFETは、高効率のスイッチモード電源に最適です。 特徴: RDS(ON)=1.4Ω@VGS = 10V 超低ゲート電荷(標準28 nC) 低い逆転送容量(CRSS =標準12 pF) 高速スイッチング機能 雪崩エネルギー試験済み 改善されたdv / dt機能、高い耐久性 電気的特性 (特記のない限り、TC = 25°C) PARAMETER...

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  • 650V 7A TO-220F N MOSFET

    650V 7A TO-220F N MOSFET

    • ブランド: Agertech

    • 包装: T / R

    • 供給能力: formal

    • 最小注文数: 10 Roll

    ATM7N65TFは、オン状態抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、アバランシェモードおよび転流モードでの高エネルギーパルスに耐えるように設計された、高電圧Nチャネルエンハンスメントモードパワー電界効果トランジスタです。このパワーMOSFETは、高効率のスイッチモード電源に最適です。 特徴: RDS(ON)=1.4Ω@VGS = 10V 超低ゲート電荷(標準28 nC) 低い逆転送容量(CRSS =標準12 pF) 高速スイッチング機能 雪崩エネルギー試験済み 改善されたdv / dt機能、高い耐久性 電気的特性 (特記のない限り、TC = 25°C) PARAMETER SYMBOL TEST...

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  • 30V 80A NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET

    30V 80A NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET

    • ブランド: AGERTECH

    • 包装: T / R

    • 供給能力: MEDIUM

    • 最小注文数: 10 Roll

    ATM03N80TEは、高セル密度のトレンチ付きN-ch MOSFETで、ほとんどの同期降圧型コンバータアプリケーションに優れたRDSONとゲート電荷を提供します。 ATM03N80TEは、RoHSおよびグリーン製品の要求を満たしています。100%EASは、承認された全機能信頼性で保証されています。 特徴: 100%EAS保証 グリーンデバイスが利用可能 超低ゲート電荷 優れたCdV / dt効果の低下 先進の高セル密度トレンチ技術 電気的特性(特記のない限り、TJ = 25℃) Symbol Parameter Conditions...

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  • 20V 4A SOT-23 P-MOS

    20V 4A SOT-23 P-MOS

    • ブランド: Agertech

    • 包装: T / R

    • 供給能力: formal

    • 最小注文数: 10 Roll

    ATM2301APSAはSOT23パッケージのPチャネルエンハンスメント型電界効果トランジスタです。ドレイン - ソース間電圧:-20V、ドレイン電流:-4A。 ATM2301APSA の主な特長 は、トレンチFETパワーMOSFE、 優れたRDS(on)および低ゲート電荷、 R DS(ON) <90mΩ(V GS = -4.5V)および R DS(ON) <110mΩ(V GS = -2.5)ですV)。主な用途はDC / DCコンバータ、 携帯機器用ロードスイッチ、 バッテリースイッチです。 絶対最大定格 (注記がない限りTa =...

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  • ESD保護付き20V 0.75A SOT-23 N-MOS

    ESD保護付き20V 0.75A SOT-23 N-MOS

    • ブランド: Agertech

    • 包装: T / R

    • 供給能力: formal

    • 最小注文数: 10 Roll

    ATM2002KSAは、SOT23パッケージのNチャネルエンハンスメント型電界効果トランジスタです。 ドレイン - ソース間電圧:20V、ドレイン電流:0.75A。 ATM2002KSAの主な機能は 表面実装パッケージ、 低R DS (on)の Nチャネルスイッチ 、低ロジックレベルゲート駆動で動作、 ESD保護:2KV、 R DS(ON) <380mΩ(V GS = 4.5V)、 R DS(ON) <450mΩ(V GS = 2.5V)、 RDS(ON)<800mΩ(VGS = 1.8V)。 主な用途は、 ロード/パワースイッチング、...

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  • 170.0V 200W SOD-123FL過渡電圧サプレッサ

    170.0V 200W SOD-123FL過渡電圧サプレッサ

    • ブランド: Agertech

    • 包装: T / R

    • 供給能力: formal

    • 最小注文数: 10 Roll

    SMFシリーズは200W、逆電圧:SOD-123FLパッケージの5V〜220V表面過渡電圧サプレッサです。 SMF170.0CATは170V逆電圧、20A ピーク順 方向 サージ電流ダイオードです。主な特長は、基板スペース、薄型パッケージ、ガラスパッシベーション接合、低インダクタンス、プラスチックパッケージを最適化するための表面実装アプリケーション向けで、Underwriters Laboratory Flammabilityと1 Level MSLを備えています。 最大定格と電気的特性 特に指定のない限り、周囲温度25℃での定格。 20%ディレーティング容量性負荷電流用の単相半波60 Hz、抵抗性または誘導性負荷。...

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  • 180.0V 200W SOD-123FL過渡電圧サプレッサ

    180.0V 200W SOD-123FL過渡電圧サプレッサ

    • ブランド: Agertech

    • 包装: T / R

    • 供給能力: formal

    • 最小注文数: 10 Roll

    SMFシリーズは200W、逆電圧:SOD-123FLパッケージの5V〜220V表面過渡電圧サプレッサです。 SMF180.0CATは180V逆電圧、20A ピーク順 方向 サージ電流ダイオードです。主な特長は、基板スペース、薄型パッケージ、ガラスパッシベーション接合、低インダクタンス、プラスチックパッケージを最適化するための表面実装アプリケーション向けで、Underwriters Laboratory Flammabilityと1 Level MSLを備えています。 最大定格と電気的特性 特に指定のない限り、周囲温度25℃での定格。 20%ディレーティング容量性負荷電流用の単相半波60 Hz、抵抗性または誘導性負荷。...

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