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整流ダイオード交流を直流に変換するために使用される半導体デバイス。ダイオードの最も重要な特性は、その一方向導電率です。この回路では、電流はダイオードの正極からのみ流れることができ、負極は流出します。通常、正と負の2つの端子を持つPN接合が含まれています。その構造を図に示します。 P領域のキャリアは正孔であり、N領域のキャリアは電子であり、P領域とN領域との間に一定の障壁を形成している。印加電圧がN領域に対してP領域を正にすると、障壁が低下し、蓄積キャリアが障壁の両側近くに生成され、それは大きな電流を通過させ、低い電圧降下(典型的には0.7)を有することができる。これはポジティブと呼ばれます。ウィザードの状態逆電圧が印加されると、高い逆電圧に耐えるために障壁が増大し、小さい逆電流(逆漏れ電流と呼ばれる)は逆阻止状態と呼ばれる。整流ダイオードは、有意な一方向導電性を有する。整流ダイオードは、半導体ゲルマニウムまたはシリコンなどの材料から製造することができる。シリコン整流ダイオードは、高い降伏電圧、小さな逆方向漏れ電流、および良好な高温性能を有する。通常、高電圧および高出力の整流ダイオードは、高純度の単結晶シリコンで作られています(それ以上ドープするとブレークダウンを逆にするのは簡単です)。このデバイスは大きな接合面積を持ち、大電流(最大数千A)を流すことができますが、動作周波数は高くなく、一般に数十kHz以下です。整流ダイオードは主に様々な低周波半波整流回路に使用されています。全波整流が必要な場合は、整流ブリッジに接続する必要があります。
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