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650V 7A Nチャネルエンハンスメントモード電界効果
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650V 7A Nチャネルエンハンスメントモード電界効果

    お支払い方法の種類: T/T
    Incoterm: FOB
    最小注文数: 10 Roll
    納期: 20 天数

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基本情報

モデル: ATM7N65TE

認証: RoHS, CE, ISO

形状: その他

シールドタイプ: その他

冷却方法: その他

関数: 高背圧トランジスタ

作業頻度: 低頻度

構造: 平面

カプセル化構造: チップトランジスタ

電力レベル: ハイパワー

材料: シリコン

Additional Info

包装: T / R

生産高: 2KK/M

ブランド: AGERTECH

輸送方法: Ocean

原産地: 中国

供給能力: MEDIUM

認証 : ISO9001,ISO16949,ISO14001,ISO18001,QC080000

HSコード: 8541100000

ポート: Shenzhen Shekou

製品の説明

ATM7N65TEは、オン状態抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、アバランシェモードおよび転流モードでの高エネルギーパルスに耐えるように設計された、高電圧Nチャネルエンハンスメントモードパワー電界効果トランジスタです。このパワーMOSFETは、高効率のスイッチモード電源に最適です。

特徴:


  • RDS(ON)=1.4Ω@VGS = 10V
  • 超低ゲート電荷(標準28 nC)
  • 低い逆転送容量(CRSS =標準12 pF)
  • 高速スイッチング機能
  • 雪崩エネルギー試験済み
  • 改善されたdv / dt機能、高い耐久性


電気的特性 (特記のない限り、TC = 25°C)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNIT

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

VGS = 0V, ID = 250μA

650

 

 

V

Drain-Source Leakage Current

IDSS

VDS = 650V, VGS = 0V

 

 

10

µA

Gate-Source Leakage Current

Forward

IGSS

VGS = 30 V, VDS = 0 V

 

 

100

nA

 

Reverse

 

VGS = -30 V, VDS = 0 V

 

 

-100

nA

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

VGS(TH)

VDS = VGS, ID = 250μA

2.0

 

4.0

V

Static Drain-Source On-State Resistance

RDS(ON)

VGS = 10V, ID =3.5A (Note 4)

 

1.05

1.4

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input Capacitance

CISS

 

VDS=25V, VGS=0V, f=1.0 MHz

 

950

1430

pF

Output Capacitance

COSS

 

 

85

130

pF

Reverse Transfer Capacitance

CRSS

 

 

12

18

pF

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Delay Time

tD(ON)

 

VDD=325V, ID =7A, RG =25Ω (Note 1, 2)

 

16

 

ns

Turn-On Rise Time

tR

 

 

60

 

ns

Turn-Off Delay Time

tD(OFF)

 

 

80

 

ns

Turn-Off Fall Time

tF

 

 

65

 

ns

Total Gate Charge

QG

 

VDS=520V, ID=7A, VGS=10 V (Note 1, 2)

 

28

42

nC

Gate-Source Charge

QGS

 

 

5.5

8.3

nC

Gate-Drain Charge

QGD

 

 

11

17

nC

DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS

Drain-Source Diode Forward Voltage

VSD

VGS = 0V, IS = 7A

 

 

1.4

V

Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current

IS

 

 

 

7

A

Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current

ISM

 

 

 

28

A

Reverse Recovery Time

trr

VGS = 0V, IS =7A,

dIF / dt = 100A/μs (Note 1)

 

365

 

ns

Reverse Recovery Charge

QRR

 

 

4.23

 

µC

High Voltage N-Channel

製品グループ : NチャンネルMosfet

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