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金属酸化膜半導体電界効果(MOS)トランジスタは、NチャネルとPチャネルに分けることができる。 PチャネルシリコンMOS電界効果トランジスタは、ソースと呼ばれる2つのP +領域をN型シリコン基板上に有し、ドレインは2つの極の間で導通していない。ソースの場合、ゲート下のN型シリコンの表面はP型反転層を示し、これはソースとドレインを接続するチャネルとなる。 。ゲート電圧を変えると、チャネル内の正孔の密度が変わり、それによってチャネルの抵抗が変わる。このようなMOS電界効果トランジスタは、Pチャネルエンハンスメント型電界効果トランジスタと呼ばれている。 N型シリコン基板の表面にゲート電圧がない場合、P型反転層チャネルは既に存在しており、適切なバイアス電圧はチャネルの抵抗を増減することができる。このようなMOS電界効果トランジスタは、Pチャネルデプレッション電界効果トランジスタと呼ばれる。それらはまとめてPMOSトランジスタと呼ばれる。
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