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1A 20V表面実装型ショットキーバリア整流器
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1A 20V表面実装型ショットキーバリア整流器

    お支払い方法の種類: T/T
    Incoterm: FOB
    最小注文数: 10 Roll
    納期: 20 天数

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基本情報

モデル: 1N5817W-AT

カプセル化構造: その他

応用: 電子製品

認証: RoHS, CE, ISO

光度: 標準

色: その他

構造: 平面

材料: シリコン

Additional Info

包装: T / R

生産高: 10KK/M

ブランド: Agertech

輸送方法: Ocean

原産地: 中国

供給能力: formal

認証 : ISO9001,ISO16949,ISO14001,ISO18001,QC080000

HSコード: 8541100000

ポート: Shenzhen Shekou

製品の説明

1N5817W-ATは、SOD123FLプラスチックでパッケージされた従来の1A 20Vショットキー整流管です。ショットキーダイオードの構造と特性により、高周波での低電圧、大電流出力などでの高周波整流に適しています。検出および混合のために、ショットキーダイオードは高速論理回路におけるクランプとして使用される。ショットキー・ダイオードもICで一般的に使用されており、高速コンピュータでも広く使用されています。


絶対最大定格および特性

特記のない限り、周囲温度25℃での定格、単相、半波、抵抗または誘導負荷。容量性負荷の場合、20%ディレーティング

Parameter

Symbols

1N5817W-AT

1N5818W-AT

1N5819W -AT

Units

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

VRRM

20

30

40

V

Maximum RMS Voltage

VRMS

14

21

28

V

Maximum DC Blocking Voltage

VDC

20

30

40

V

Maximum Average Forward Rectified Current

IF(AV)

1

A

Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half Sine Wave

Superimposed on Rated Load(JEDEC methode)

IFSM

25

A

Maximum Instantaneous Forward Voltage           at IF = 1 A

at IF = 3 A

VF

0.45

0.75

0.55

0.875

0.6

0.9

 

V

Maximum Instantaneous Reverse Current        at TA = 25

Rated DC Blocking Voltage 1)                                TA = 100

IR

0.5

10

mA

Typical Junction Capacitance 2)

CJ

110

pF

Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient 3)

RθJA

75

/W

Operating Junction Temperature Range

Tj

- 55 to + 125

Storage Temperature Range

Tstg

- 55 to + 150

1)パルステスト:300 µsのパルス幅、1%デューティサイクル

2)1MHz、逆電圧4Vで測定

3)周囲温度0.24インチ×0.24インチ(6×6 mm)の銅パッドと各端子との熱抵抗接合


1N5817 SOD123FL Schottky Rectifier




製品グループ : ショットキーダイオード

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