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ESD保護付き20V 0.75A SOT-23 N-MOS
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ESD保護付き20V 0.75A SOT-23 N-MOS

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    Incoterm: FOB
    最小注文数: 10 Roll
    納期: 20 天数

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基本情報

モデル: ATM2002KSA

認証: RoHS, CE, ISO

形状: その他

シールドタイプ: その他

冷却方法: 自然に冷却されたチューブ

関数: スイッチトランジスタ

作業頻度: 低頻度

構造: 平面

カプセル化構造: チップトランジスタ

電力レベル: 小電力

材料: シリコン

Additional Info

包装: T / R

生産高: 3KK/M

ブランド: Agertech

輸送方法: Ocean

原産地: 中国

供給能力: formal

認証 : ISO9001,ISO16949,ISO14001,ISO18001,QC080000

HSコード: 8541100000

ポート: Shenzhen Shekou

製品の説明

ATM2002KSAは、SOT23パッケージのNチャネルエンハンスメント型電界効果トランジスタです。 ドレイン - ソース間電圧:20V、ドレイン電流:0.75A。 ATM2002KSAの主な機能は

表面実装パッケージ、 低R DS (on)の Nチャネルスイッチ 、低ロジックレベルゲート駆動で動作、 ESD保護:2KV、 R DS(ON) <380mΩ(V GS = 4.5V)、 R DS(ON) <450mΩ(V GS = 2.5V)、 RDS(ON)<800mΩ(VGS = 1.8V)。 主な用途は、 ロード/パワースイッチング、 インターフェーススイッチング、 超小型ポータブルエレクトロニクス用のバッテリ管理、および 論理レベルシフトです。


絶対最大定格 (注記がない限りTa = 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

20

V

Gate-Source Voltage

VGS

±10

V

Continuous Drain Current

ID

0.75

A

Pulsed Drain Current

IDM

1.8

A

Power Dissipation

PD

0.35

W

Thermal Resistance from Junction to Ambient

RθJA

417

/W

Junction Temperature

TJ

150

Storage Temperature

TSTG

-55~ +150


Field Effect Transistor Uses




製品グループ : 小信号トランジスタ

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